Chartered Semiconductor Manufacturing, IBM und Infineon Technologies haben heute eine gemeinsame Vereinbarung zur Entwicklung von Fertigungsprozessen in 0,065 µm Technologie bekannt gegeben. Diese Vereinbarung kombiniert die langjährigen Erfahrungen von Infineon bei der Entwicklung von Halbleitern mit geringer Leistungsaufnahme und die branchenführende Prozesstechnologie von IBM sowie das Engagement von Chartered bei der Entwicklung einer allgemeinen Foundry-Plattform, die von der 90 nm Technologie über die nächste Fertigungsgeneration (die 65 nm Technologie) bis hin zur zukünftigen 0,045 Fertigungstechnik skalierbar ist. Finanzielle Details zu der Vereinbarung wurden nicht bekannt gegeben...
Die Entwicklungsarbeiten werden im kürzlich eröffneten 300 Millimeter Entwicklungslabor von IBM in East Fishkill im Bundesstaat New York aufgenommen. In dem Advanced Semiconductor Technology Center bzw. ASTC 300 genannten Werk, das seit einem Monat in Betrieb ist, haben IBM und Chartered als eine der Ersten bereits 65 Nanometer Wafer entwickelt...
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Mit dem SanDisk Professional G-DRIVE bietet Western Digital eine externe HDD für Profis an. Der mobile Speicher bietet bis zu 26 TB Platz für Inhalte und ist mit einem USB-C-Interface ausgestattet.
Mit der ScreenBar Halo 2 bringt BenQ die zweite Generation seiner Arbeitsplatz- und Monitor-Beleuchtung auf den Markt. Wir durften uns im Alltag einen Eindruck von der Halo 2 und ihren vielfältigen Möglichkeiten machen.