Infineon wird die Kapazität seines großen Halbleiterwerks in Richmond (USA) erweitern. Dazu werden in einer ersten Phase Systeme für die Fertigung modernster DRAM-Chips auf 300 mm Wafern installiert, so dass die Produktion ab Anfang 2005 beginnen kann. Mit dem Erweiterungsprojekt im Wert von 1 Milliarde US-Dollar schafft Infineon die Voraussetzungen für künftige Produkte.
Nach Abschluss der ersten Expansionsphase können monatlich 25.000 Wafer-Starts in 300 mm Technologie an dem Standort erreicht werden. Im neuen 300 mm Produktionsmodul werden zunächst DRAM-Chips in 110 nm hergestellt, wobei eine schnelle Umstellung auf 90 nm Produkte geplant ist.
KIOXIA Europe GmbH hat die Entwicklung einer Super-High-IOPS-SSD angekündigt. Der neue SSD-Typ ermöglicht es GPUs, direkt auf den Hochgeschwindigkeits-Flashspeicher zuzugreifen...
Am heutigen Mittwoch gaben AMD und Samsung Electronics gemeinsam die Ausweitung ihrer strategischen Zusammenarbeit zur Unterstützung der KI-Infrastruktur der nächsten...
Kingston gab heute die Einführung des hardwareverschlüsselten USB-Sticks IronKey Locker+ 50 G2 (LP50 G2) bekannt. Der USB-Stick bietet Sicherheit auf...
Eine stabile und schnelle Internetverbindung gehört heute zur Grundausstattung vieler Haushalte. Streaming, Cloud-Dienste und Online-Gaming stellen hohe Anforderungen an die...
Eine solide Server-Infrastruktur bildet das Fundament jedes erfolgreichen Tech-Projekts. Ob Webanwendung, API-Backend oder datenintensiver Dienst – wer die Server-Infrastruktur-Performance von...
Crucial bietet DIMM-Module der Pro-OC-Familie in unterschiedlichen Konfigurationen an. Wir haben uns zwei Kits mit 6.400 MT/s und Größen von 2 x 16 GB sowie 2 x 32 GB im Praxistest genau angesehen.
Mit dem T-FORCE XTREEM bietet TEAMGROUP einen DDR5 Desktop-Memory mit Geschwindigkeiten von bis zu 8.200 MHz an. Wir haben uns das DDR5-8000 Kit mit 32 GB im Test genauer angesehen.