Intel gab heute bekannt, dass man bereits Ende des zweiten Quartals 2006 erste Testmuster seiner Multi-Level Cell NOR-Flash-Speicher ausliefern will. Die Chips werden die ersten auf dem Markt sein, die mit 65 nm Technologie gefertigt wurden und über eine Speicherdichte von 1 Gigabit pro Quadratzoll verfügen. Zum Einsatz kommen Intels NOR-Flash-Speicher beispielsweise in Mobiltelefonen als Speicher für Anwendungen, PIM-Daten (Personal Information Management) sowie Fotos, Musik oder Videos.
"Mit den neuen Flash-Produkten bietet Intel die derzeit fortschrittlichsten NOR-Flash-Speicher für den breiten Handymarkt und baut seinen Vorsprung im Markt weiter aus", erläutert Brian Harrison, Intel Vice President und General Manager der Flash Memory Group. "Unsere 65 nm Fertigungstechnologie wird die Performance unserer Flash Speicher verbessern und den Weg für funktionsreichere Handys ebnen."
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