Hersteller Samsung gab am gestrigen Dienstag bekannt, dass man die Entwicklungsarbeiten an ersten 30 nm DDR4-DRAM-Chips erfolgreich abgeschlossen hat. Die neuen DDR4-DRAMs arbeiten mit Geschwindigkeiten von bis zu 2,133 Gbps bei einer Spannung von 1,2 Volt. Im direkten Vergleich dazu erreicht DDR3-DRAM lediglich bis zu maximal 1,6 Gbps bei einer Versorgung von 1,35 bzw. 1,5 Volt. Vergangenen Dezember hat man bereits erste Muster eines 2 GB DDR4 Unbuffered DIMM-Modules an Entwicklungspartner verteilt. Für die zweite Hälfte 2011 plant Samsung die offizielle DDR4-Standardisierung durch die JEDEC.
Ein mobiles Klimagerät ist ein nützlicher Helfer in den heißen Sommermonaten. Es verschafft schnelle Abkühlung, kann die Luft entfeuchten und...
Toshiba Electronics Europe kündigt mit der M12-Serie neue 3,5-Zoll-Nearline-HDDs für Hyperscaler und Cloud Service Provider an, die große Rechenzentren betreiben....
Mit der PNY CS3250 M.2 NVMe PCIe Gen5 x4 SSD erweitert PNY sein Portfolio im High-End-Segment um ein Modell, das...
In einer heute veröffentlichten Videoankündigung hat Jack Huynh, SVP und GM der Computing and Graphics Group bei AMD, den neuen...
Die Sicherung von Daten sollte für Unternehmen selbstverständlich sein, doch zu oft wird sie auf der Prioritätenliste nach unten verschoben,...
Heute testen wir die mobile Klimaanlage Dreo AC516S, die für Räume von bis zu 40 m² geeignet ist. Das Gerät kann nicht nur kühlen, sondern beispielsweise auch die Luft entfeuchten. Mehr dazu im Test.
PNY bietet mit der CS3250 eine Familie von PCIe Gen5 SSDs an, die mit Speicherkapazitäten von bis zu 4 TB erhältlich sind. Die Drives erreichen bis zu 14.900 MB/s lesend. Wir haben das 1-TB-Modell getestet.