Hersteller Samsung gab am gestrigen Dienstag bekannt, dass man die Entwicklungsarbeiten an ersten 30 nm DDR4-DRAM-Chips erfolgreich abgeschlossen hat. Die neuen DDR4-DRAMs arbeiten mit Geschwindigkeiten von bis zu 2,133 Gbps bei einer Spannung von 1,2 Volt. Im direkten Vergleich dazu erreicht DDR3-DRAM lediglich bis zu maximal 1,6 Gbps bei einer Versorgung von 1,35 bzw. 1,5 Volt. Vergangenen Dezember hat man bereits erste Muster eines 2 GB DDR4 Unbuffered DIMM-Modules an Entwicklungspartner verteilt. Für die zweite Hälfte 2011 plant Samsung die offizielle DDR4-Standardisierung durch die JEDEC.
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