Auf dem IEEE International Electron Devices Meeting 2003 (IEDM) in Washington, gab AMD weitere Details seiner neusten SOI-Transistorentwicklung (Silicon-on-Insulator) der nächsten Generation bekannt. AMD´s neuste Entwicklung soll viele der anspruchsvollsten
Herausforderungen überwinden, denen die heutige Halbleiterbranche bei 45 nm Technologiegenerationen gegenüber steht.
Während heutige Transistoren lediglich mit einem Gate ausgestattet sind, nutzt AMD´s neue Entwicklung gleich drei
Gates. Darüber hinaus beinhaltet das neue Transistordesign mehrere Innovationen, die eine kontinuierliche Skalierung der Transistor-Gates bis auf 20 nm und darunter ermöglichen. Zugleich arbeitet die neue Transistorentwicklung mit höheren Frequenzen als bisherige Transistoren sowie mit niedrigeren Leckströmen. Ferner kommt AMD´s neuer Transistor ohne so genannte High-k Gate Dielektrika aus. Bei diesen konnten negative Einflüsse auf die Transistorleistung nachgewiesen werden. Die neusten AMD Multi-Gate-Transistoren beinhalten folgende Technologien:
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