Intel stellt erstmals voll funktionstüchtige SRAM-Bausteine (Static Random Access Memory), basierend auf der kommenden 65 Nanometer Technologie, her. Damit kommt dieser Fertigungsprozess planmäßig ab 2005 auf 300 mm Wafern in der Massenproduktion zum Einsatz. Dieser neue 65 Nanometer Fertigungsprozess ist eine Kombination aus Transistoren mit geringerer Verlustleistung, der zweiten Generation des Strained Silicon, schnellen Interconnects aus Kupfer und einem Low-k Dielektrikum.
Intel´s neuer 65 Nanometer Fertigungsprozess zeichnet sich durch Transistoren aus, die nur noch 35 Nanometer lang sind (Gatelänge). In der Massenproduktion werden sie damit die kleinsten Hochleistungstransistoren auf CMOS-Basis sein. Zum Vergleich: Die Transistoren die derzeit in Pentium IV Prozessoren zum Einsatz kommen messen 50 Nanometer.
Die My Book Desktop-Festplatte ist ein externer Speicher mit hoher Kapazität, der für den Einsatz als Archivierungs- und Sicherungslösung konzipiert...
AGON by AOC hat zwei neue Gaming-Monitore vorgestellt, die unterschiedliche Anforderungen von Spielern abdecken: den AOC GAMING Q27G4SRU mit 27...
ASUS erhöht die Herstellergarantie für sämtliche Consumer- und Gaming-Notebooks auf drei Jahre. Diese Entscheidung unterstreicht das Vertrauen des Unternehmens in...
Der FRITZ!Repeater 2700 ergänzt das Portfolio an Repeatern aus dem Hause FRITZ! um eine weitere Wi-Fi-7-Option. Der WLAN-Kraftprotz funkt auf...
Im zurückliegenden Monat gab es wieder einige spannende Themen im Bereich Newsmeldungen sowie interessante Artikel und Produkttests. Folgend möchten wir...
Mit der ScreenBar Halo 2 bringt BenQ die zweite Generation seiner Arbeitsplatz- und Monitor-Beleuchtung auf den Markt. Wir durften uns im Alltag einen Eindruck von der Halo 2 und ihren vielfältigen Möglichkeiten machen.
Die My Book-Festplatte von Western Digital dient als großzügiger Desktopspeicher mit bis zu 26 TB und ermöglicht das lokale Sichern großer Datenmengen. Wir haben uns das Modell mit 14 TB im Test angesehen.