ARTIKEL & TESTS / OCZ Vector 150 SSD mit 480 GB im Praxistest

Technologiewandel im NAND-Flash-Bereich

Die Besonderheit bei der Vector 150 sind eben jene verbauten NAND-Flashes (TH58TEG8DDJBA8C), die in einem 19 nm Fertigungsprozess entstehen und eine Reduktion der Herstellungskosten erlauben (verglichen mit 25 oder 32 nm). Dies wird möglich, da durch den geringeren Platzbedarf mehr Chips aus einem 300 mm Silizium-Wafer gewonnen werden können und die Produktion insgesamt (kosten)effizienter abläuft. Dadurch entstehende preisliche Vorteile kann Toshiba bzw. letztlich OCZ mehr oder weniger direkt an den Endkunden weitergeben und für eine attraktive Preisgestaltung im umkämpften Entry-Level-Markt sorgen. Aber auch High-End-Drives wie die Vector 150 profitieren hiervon maßgeblich.

Doch wo Licht ist, ist bekanntlich auch Schatten: Nachteilig wirkt sich die Reduktion der Strukturbreite nämlich auf die Lebenserwartung der Speicherzellen aus, denn die maximal mögliche Anzahl von Schreib- und Löschzyklen (Program/Erase-Cycles) sinkt. Während beispielsweise bei einer Vertex 3 mit 29F64G08ACME2 NAND-Flashes (25 nm) noch 5.000 P/E-Cycles im Datenblatt nachzulesen waren, muss sich der Flash der Vertex 3.20 (29F16B08CCMF3, 20 nm) mit 3.000 Zyklen begnügen – was immer noch sehr viel ist. Gleiches gilt auch für den Speicher der Vector 150. Ziel des 19-nm-Shrinks ist sowohl die Kosteneinsparung als auch die verbesserte Verfügbarkeit der Chips. Heutzutage sind Flash-Speicher ein fester Bestandteil in sehr vielen elektronischen Endprodukten (Smartphones, Tablets etc.) und der entsprechend steigende Bedarf lässt sich dadurch abfangen. TLC ist eine weitere Alternative.

	Single-Level-Cell (SLC)	Multi-Level-Cell (MLC)	Triple-Level-Cell (TLC)
Bits per Cell	1	2	3
P/E-Cycles	100.000	3.000-5.000	1.000-1.500
Read Time	25 µs	50 µs	75 µs
Program Time	200-300 µs	600-900 µs	~900-1350 µs
Erase Time	1,5-2 ms	3 ms	~4,5 ms

Der größte Konkurrent des 19 nm MLC im günstigen Entry-Level heißt TLC und findet unter anderem bei aktuellen Drives von Samsung (SSD 840 Familie) Verwendung. TLC-Zellen (Triple-Level-Cell) sind in der Lage bis zu drei Bit zu speichern, die durch acht unterschiedliche Schaltzustände abgebildet werden. Dadurch kann eine deutlich höhere Speicherdichte erreicht werden, was wiederum die Kosten für entsprechende Endprodukte sinken lässt. Durch die höhere Anzahl unterschiedlicher Spannungsniveaus (TLC: 2^3 = 8 / MLC: 2^2 = 4) sind diese Zelltypen aber auch anfälliger für die Abnutzung und letztlich den Ausfall. Genaue Informationen über die Zuverlässigkeit sind aktuell nicht verfügbar, Samsung gibt jedoch drei Jahre Garantie auf entsprechende Laufwerke. Bei den maximal möglichen P/E-Cycles von TLC-Zellen spricht man zur Zeit von 1.000-1.500. Noch fehlen Langzeitstudien und Erfahrungswerte, da es sich um eine neue Technologie im SSD-Bereich handelt, die zudem bislang nur von sehr wenigen Herstellern in entsprechenden Endprodukten eingesetzt wird.

Modelle und Preise

Aktuell bietet OCZ die neuen Vector 150 Drives in drei Ausführungen bzw. unterschiedlichen Kapazitäten an. Die verschiedenen Modelle verfügen über wahlweise 120, 240 oder sogar satte 480 GB Speicherkapazität. Die beiden erstgenannten wechseln ab 80 bzw. 140 Euro den Besitzer (Quelle: Geizhals.de, Stand: 08/2014), für die 480 GB Variante werden rund 250 Euro fällig – vor gut einem halben Jahr musste man hier noch etwa 400 Euro ausgeben! Daraus ergeben sich Preise pro Gigabyte von 67 bzw. 58 Euro-Cent für die Modelle mit 120 bzw. 240 GB – das Spitzenmodell liegt bei nur noch 52 Cent. In der unten stehenden Tabelle sind alle wesentlichen technischen Eckdaten der Familie nachzulesen. Weitere Informationen zu unserem Testkandidaten erhalten Sie auf den nun folgenden Seiten des Artikels.

Zuvor möchten wir noch auf das neue Design der Vector 150 Drives hinweisen, denn unser vorliegendes Sample kam noch im alten Design daher. Alle im Handel erhältlichen Vector 150 sind mittlerweile auf die in Schwarz gehaltene Optik mit großem OCZ Logo und den markanten Streifen umgestellt.

Modell	Random 4K Read	Random 4K Write	Sequential Read	Sequential Write
480 GB	100.000 IOPS	95.000 IOPS	550 MB/s	530 MB/s
240 GB	90.000 IOPS	95.000 IOPS	550 MB/s	530 MB/s
120 GB	80.000 IOPS	95.000 IOPS	550 MB/s	450 MB/s

Autor: Stefan Boller, Patrick von Brunn