AMD und IBM präsentierten auf dem International Electron Devices Meeting (IEDM) in Washington, ihre Fortschritte bei der Entwicklung neuer Prozesstechnologien und Materialien zur Herstellung von Prozessoren mit Halbleiterstrukturen von 65 nm.
So gaben beide Unternehmen bekannt, dass es gelungen sei, Embedded Silizium-Germanium (e-SiGe) mit Dual Stress Liner (DSL) und Stress Memorization Technologie (SMT) auf SOI-Wafern (Silicon-On-Insulator) zu kombinieren und somit gegenüber ähnlichen Chips, die ohne Stress-Technologie hergestellt werden, eine 40 Prozent höhere Transistorleistung zu erzielen, bei gleichzeitiger Kontrolle über den Stromverbrauch sowie die Verlustwärme.
Bei den neuen Prozesstechnologien kommen Isolationsmaterialien mit niedrigeren dielektrischen Konstanten (Lower-K) zum Einsatz, die kürzere Signallaufzeiten durch die Interconnects ermöglichen und somit die Leistung der Produkte steigern und gleichzeitig den Leistungsverbrauch senken. Die neuen Technologien lassen sich zur Produktion von Chips mit 65 nm Strukturen einsetzen und sind auch zur Fertigung kommender Prozessor-Generationen nutzbar.
"Unsere Zusammenarbeit bei der Entwicklung moderner Prozesstechnologien beweist erneut unsere Fähigkeit, die leistungsstärksten Prozessoren herzustellen, die extrem wenig Strom verbrauchen," so Nick Kepler, AMDs Vice President of Logic Technology Development. "Mit diesen Errungenschaften erweitern wir die Liste unserer Erfolge und zeigen, wie sich mit gemeinsam genutztem Know-how und den Fähigkeiten beider Unternehmen Hindernisse beseitigen und wertvolle Innovationen für unsere Kunden realisieren lassen."
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